Ex-Tarifários para NCM 8541.90.90

Pastilhas de diodo ou de tiristor, redondas, ainda em lâminas de silício monocristalinas de 5 ou 6 polegadas, de altíssima pureza e já difundidas, com diâmetros singularizados compreendidos entre 23 e 60mm, e espessuras compreendidas entre 0,26 e 0,5mm, possuem superfícies de anodo e catodo metalizadas com alumínio, cromo, níquel ou prata ( Al / Cr / Ni / Ag ), utilizadas na fabricação de semicondutores de potência.

Discos ou anéis de molibdênio com grau de pureza superior a 99,9%, com diâmetros compreendidos entre 3mm e 80mm, espessuras compreendidas entre 0,07mm e 4mm com acabamento superficial retificados ou polidos, para aplicação em semicondutores de potência, utilizados como interface para compatibilização de expansão térmica, contatos térmicos e elétricos de pastilhas de diodos e tiristores, garantindo alta condutividade térmica/elétrica e longa vida útil aos semicondutores.

Tubos metálicos em liga de Níquel e Ferro para uso exclusivo na produção de Semicondutores de Potência, contendo entre 40% a 53% de Níquel na liga, ajustada para compatibilidade de expansão e contração térmica com o vidro de isolação do encapsulamento dos semicondutores, garantindo selo hermético sob pressão e variações de temperatura, diâmetro externo compreendido entre 1,5 a 20mm, diâmetro interno compreendido entre 0,8 a 19mm e comprimento compreendido entre 5 a 24 mm.

Placas Cerâmicas de Óxido de Alumínio (AI2O3) ou Nitreto de Alumínio (AIN) com trilhas espessas de cobre, denominadas DBC ou DCB , para uso exclusivo na produção de módulos Semicondutores de Potência isolados, com capacidade de isolação de 3600 V, dimensões compreendidas entre 22 e 40 mm de comprimento, entre 20 a 35 mmde largura, com espessura de cobre compreendida entre 0,2 e 0,5 mm e com a espessura da cerâmica compreendida entre 0,4 e 0,8 mm.

Discos de aço inoxidável planos, sem bordas curvadas, com dimensões compreendidas de 2 a 5 milímetros de diâmetro, espessura de 0,15 milímetros e rebarbas com no máximo 0,05 mm para produção de semicondutores.

Discos de contato em cobre eletrolítico usinado com acabamento lapidado para fabricação de semicondutores de potência tipo disco, com diâmetro maior compreendido de 49 a 63 mm com espessura total compreendida de 2,45 a 3,9 mm, rugosidade máxima Rz de 5 micrômetros e desvio máximo de planicidade de 0,005 mm.

Capas metal-cerâmicas (capas cerâmicas) isolantes para semicondutores de potência discretos do tipo diodo rosca, sendo compostas por cerâmica de óxido de alumínio (parte isolante), tubo de cobre na parte superior para conexão do terminal interno do diodo com sua cordoalha, e flange produzida em liga NiFe42 na parte inferior.

Terminais de cobre, com ou sem solda integrada, produzidos à partir de fios ou chapas, para uso exclusivo em semicondutores de potência, com acabamento em prata ou ouro, para conexão elétrica otimizada para o gatilho (porta/gate) ou para a parte de potência do semicondutor (anodo/ catodo) com o comprimento do fio compreendido entre 31 a 60 mm (L ou L1+L2), com espessura entre 0,38 mm a 0,7 mm (diâmetro E1) ou em chapas de espessura 0,8 mm, largura compreendida entre 33 mm a 50 mm e comprimento de 41,2 +/- 1 mm.