Resolução GECEX nº 781/2025

Resolução Gecex nº 781, de 28 de agosto de 2025

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Ex-Tarifários concedidos
886
NCMs distintos
148

Ex-Tarifários por NCM

8541.10.22 BIT 7 ex
8541.10.22001 Vence 29/02/2028
Diodos, de intensidade de corrente inferior ou igual a 3 A, montados, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), com tensão máxima de 200 V e temperatura …
8541.10.22002 Vence 29/02/2028
Diodos retificadores, próprios para montagem em superfície (SMD), com corrente direta média máxima compreendida entre 0,01 A e 3 A, tensão de pico inversa repetitiva máxima compree…
8541.10.22003 Vence 30/03/2028
Diodo de comutação rápida (fast switching) de sinal pequeno, para montagem em superfície (SMD), com corrente direta máxima de 0,15A e tensão reversa de pico de 75V, próprio para mo…
8541.10.22004 Vence 27/07/2026
Componente eletrônico diodo retificador, tipo rápido, montado, próprio para montagem em superfície (smd – “surface mounted device”), com capacidade máxima de corrente de 1a
8541.10.22005 Vence 30/03/2028
Diodos semicondutores, montados, próprios para montagem em superfície (SMD), tensão de 50milivolt a 1250V, capacitância 2pF (picofarad) a 240pF (picofarad), responsável por permiti…
8541.10.22007 Vence 30/03/2028
Diodos Zener de silício, para regulação e referência de tensão, tecnologia para montagem em superfície (SMD), encapsulamento tipo MiniMELF (LL-34), com tensão Zener nominal de 6,8V…
8541.10.22008 Vence 09/09/2026
Diodos montados, de intensidade de corrente inferior ou igual a 3A, próprios para montagem em superfície (SMD), responsável por permitir a passagem de corrente elétrica em apenas u…
8541.10.29 BIT 8 ex
8541.10.29001 Vence 28/06/2026
Diodos retificadores de silício, tipo semicondutor de junção, para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), com intensidade de corrente nominal inferior ou igual a 3A…
8541.10.29002 Vence 29/02/2028
Diodos, de intensidade de corrente superior a 3 A, montados, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), com tensão máxima de 1.000 V e temperatura de oper…
8541.10.29003 Vence 29/02/2028
Diodos, semicondutores, montados, do tipo "Schottky" de potência, duplos (2 ânodos e cátodo comum), próprios para montagem em superfície (SMD), encapsulados em D2PAK ou TO-263, com…
8541.10.29004 Vence 29/02/2028
Diodos semicondutores montados, próprios para proteção contra surtos transitórios (TVS), do tipo "array" integrado, para montagem em superfície (SMD), encapsulados em SOT-363 ou SC…
8541.10.29005 Vence 29/02/2028
Diodos semicondutores montados, próprios para proteção contra surtos transitórios (TVS), do tipo bidirecional, discretos, para montagem em superfície (SMD), encapsulados em SOD-323…
8541.10.29006 Vence 29/02/2028
Dispositivos semicondutores - Diodos retificadores, próprios para montagem em superfície (SMD), com corrente direta média máxima compreendida entre 3,1 e 710 A, tensão de pico inve…
8541.10.29007 Vence 30/03/2028
Diodos supressores de tensão transiente (TVS), montados, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), encapsulados em invólucro plástico, unidirecionais ou …
8541.10.29008 Vence 30/03/2028
Diodo de supressão de transientes (tvs) montado, próprio para montagem em superfície (smd/smt), com intensidade de corrente de 8 a e tensão nominal de 30 V, tensao de ruptura 31,5 …
8541.10.31 BIT 3 ex
8541.10.31001 Vence 29/02/2028
Diodo montado, PTH (montagem através dos furos), do tipo zener, tensão nominal (Vz) entre 1 volts a 200 volts, potencia dissipada até 10W, temperatura de operação até 300°C.
8541.10.31002 Vence 29/02/2028
Dispositivos semicondutores - Diodos Zener, montados, próprios para montagem por inserção (PTH), com tensão zener (Vz) compreendida entre 4,7 V a 51 V, e corrente direta (Iz) de 5 …
8541.10.31003 Vence 30/03/2028
Diodos semicondutores, do tipo Zener, montados, próprios para montagem por inserção (PTH), tensão de 51 vdc,  dissipação de potência 5w com pico dissipação de 600w, corrente de pic…
8541.10.32 BIT 2 ex
8541.10.32001 Vence 28/06/2026
Dispositivos semicondutores, do tipo diodos retificadores de silício, montados, próprios para montagem por inserção (PTH – Pin Trough Hole), com intensidade de corrente nominal inf…
8541.10.32002 Vence 29/02/2028
Diodo, montado, PTH (montagem através dos furos), intensidade de corrente inferior ou igual a 3 amperes, dos tipos: retificador, sinal, shottky ou ponte retificadora, temperatura d…
8541.10.39 BIT 2 ex
8541.10.39001 Vence 30/07/2028
Módulos de diodo integrados a um conector elétrico de 2 vias, aplicados no chicote elétrico de máquinas de construção.
8541.10.39002 Vence 31/08/2028
Diodos do tipo semicondutor de junção PN ou metal-semicondutor (schottky), com camada interna de silício, com encapsulamentos próprios para montagem por inserção (PTH - Pin Through…
8541.10.91 BIT 1 ex
8541.10.91001 Vence 30/03/2028
Dispositivos semicondutores - Diodos Zener, montados, com tensão zener (Vz) compreendida entre 2,7V a 82V, e corrente direta (Iz) de 2µA a 395mA, temperatura de operação na faixa d…
8541.21.20 BIT 4 ex
8541.21.20001 Vence 29/02/2028
Transistores, com capacidade de dissipação inferior a 1W, montados, próprios para montagem em superfície (SMD), podendo ser do tipo NPN ou PNP, simples (1 transistor) ou com múltip…
8541.21.20002 Vence 29/02/2028
Transistores com capacidade de dissipação inferior a 1 W, montados, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), com tensão máxima de 300 V, podendo ser do …
8541.21.20003 Vence 29/02/2028
Transistores, montados, com capacidade de dissipação inferior a 1 W, próprios para montagem em superfície (SMD), com corrente variando de 0,02 a 24A, tensão variando de 6 a 600V, o…
8541.21.20004 Vence 29/02/2028
Transistores semicondutores montados, em encapsulamento SMD, com potência de dissipação igual ou inferior a 1W, destinados a aplicações de amplificação, chaveamento e controle elet…
8541.29.20 BIT 14 ex
8541.29.20001 Vence 29/02/2028
Módulos semicondutores de potência, baseados em tecnologia de Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT), montados em encapsulamento plástico ou cerâmico, próprios para comutação e…
8541.29.20002 Vence 29/02/2028
Transistores, de canal N ou P, controlados por tensão dreno-fonte (Vdss) compreendida entre 6 e 3.600V, corrente de dreno de 0,1 a 300A, potência de dissipação de 0,2 a 1.000W, tem…
8541.29.20003 Vence 28/06/2026
Transistores com capacidade de dissipação igual ou superior a 1W, montados, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device) ou por inserção (PTH - Pin Through H…
8541.29.20004 Vence 29/02/2028
Dispositivos semicondutores - transistores, montados, com capacidade de dissipação igual ou superior a 1W, próprios para montagem em superfície (SMD) ou por inserção (PHT), com cor…
8541.29.20005 Vence 28/06/2026
Transistores semicondutores montados, em encapsulamento SMD, destinados a aplicações de amplificação, chaveamento e controle eletrônico, utilizados em placas de circuito impresso d…
8541.29.20006 Vence 30/03/2028
Componentes eletrônicos transistores, tipo mosfet, capacidade de dissipação de 76w, tensão maxima de 650v e corrente de 11A, montados, para montagem smd.
8541.29.20007 Vence 30/03/2028
Transistores do tipo mosfet, montados, próprios para montagem em superfície (SMD) em placas de circuito impresso, tensão de até 60V, com capacidade de dissipação térmica superior a…
8541.29.20008 Vence 30/03/2028
Transistores do tipo mosfet, montados com encapsulamento plástico, próprios para montagem em superfície (SMD), com capacidade de dissipação superior a 1W, tensão de até 100V, corre…
8541.29.20011 Vence 30/03/2028
Transistores do tipo mosfet, montados com encapsulamento plástico, próprios para montagem em superfície (SMD), com capacidade de dissipação superior a 1W, tensão de até 55V, corren…
8541.29.20012 Vence 30/03/2028
Transistores MOSFET de potência, de polaridade canal N, próprios para montagem em superfície (SMD), encapsulados em TO252-3 (DPAK), com tensão máxima dreno-fonte (VDS) igual ou sup…
8541.29.20013 Vence 30/04/2028
Transistores MOSFET de potência, de polaridade canal N, próprios para montagem em furo passante (through-hole), encapsulados em PG-TO220-3, com tensão de ruptura dreno-fonte V(BR)D…
8541.29.20014 Vence 30/04/2028
Transistores bipolares de potência, de polaridade PNP, de silício, próprios para montagem em superfície (SMD), encapsulados em SOT-223, com tensão de ruptura coletor-emissor (Colle…
8541.29.20015 Vence 30/04/2028
Sistemas de compensação de reativos "STATCOM" (Static Synchronous Compensator) dotados de módulos de válvulas denominadas VSC (Voltage Source Converters) compostos de Transistores …
8541.29.20016 Vence 30/05/2028
Transistores com capacidade de dissipação igual ou superior a 1W, montados, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device) ou por inserção (PTH - Pin Through H…
8541.30.21 BIT 1 ex
8541.30.21001 Vence 30/04/2028
Dispositivos DIAC, montados, com intensidade de corrente inferior a 3A, utilizados para controle em circuitos de corrente alternada.
8541.30.29 BIT 3 ex
8541.30.29019 Vence 31/12/2027
Válvulas tiristorizadas, montadas em torre com 8 camadas, próprias para sistema de transmissão de energia elétrica em corrente contínua em alta tensão (HVDC), para tensão superior …
8541.30.29020 Vence 30/04/2028
Dispositivos TRIAC, montados, com intensidade de corrente acima de 5A, utilizados para comutação e controle em circuitos de corrente alternada.
8541.30.29021 Vence 31/08/2028
Dispositivos semicondutores de potência - Tiristores, próprios para o controle eletrônico da tensão aplicada a motores elétricos de média tensão, atuando como elemento central do c…
8541.41.21 BIT 8 ex
8541.41.21001 Vence 29/02/2028
Diodos emissores de luz (LED), montados, próprios para montagem em superfície (SMD), com corrente direta média máxima variando de 2 a 150mA, tensão reversa máxima variando de 1,2 a…
8541.41.21002 Vence 29/02/2028
Diodos emissores de luz (LED), visíveis, montados, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), com tensão máxima de 12 V e corrente até 8 A, temperatura de…
8541.41.21003 Vence 30/03/2028
Diodos emissores de luz (LED), montados, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), encapsulados em invólucro plástico ou cerâmico, com tensão direta máxi…
8541.41.21004 Vence 30/03/2028
Diodo emissor de luz (LED), dispositivo semicondutor de estado sólido, próprio para montagem em superfície (SMD – Surface Mount Device), fornecido em diferentes dimensões(mmXmm) de…
8541.41.21005 Vence 30/03/2028
Diodos emissores de luz (LED), tecnologia para montagem em superfície (SMD), encapsulamento tipo "chip" padrão métrico 2012 (imperial 0805), de alto brilho e alta eficiência lumino…
8541.41.21006 Vence 09/09/2026
Diodos emissores de luz (led), montados, próprios para montagem em superfície (smd - surface mounted device) do tipo usado em produto automotivo.
8541.41.21007 Vence 30/04/2028
Diodos emissores de luz (LED), montados em encapsulamento SMD para montagem em superfície (SMT), com tensão de operação compreendida entre 2.8 e 25Vdc, potência nominal entre 100mW…
8541.41.21008 Vence 30/04/2028
Diodos emissores de luz (LED), montados, próprios para montagem em superfície (SMD), encapsulados nos formatos 0603 ou 0805 ou 1206, monocromáticos ou bicolores, com comprimento de…
8541.42.20 BIT 1 ex
8541.42.20001 Vence 29/02/2028
Células fotovoltaicas solares semicondutoras avulsas, no formato retangular com dimensões 27,63mm x 53,62mm, acoplada em suporte plástico acompanhada de cabo com conexão, não monta…
8541.43.00 BIT 3 ex
8541.43.00020 Vence 30/11/2027
Módulos solares fotovoltaicos para geração de energia elétrica, monofaciais, flexíveis, dotados de células de silício monocristalino, com potência de pico (STC) na parte frontal de…
8541.43.00021 Vence 30/11/2027
Módulos solares fotovoltaicos para geração de energia elétrica, monofaciais, flexíveis, dotados de células de silício monocristalino, com potência de pico (STC) na parte frontal de…
8541.43.00022 Vence 31/01/2028
Módulos solares fotovoltaicos para geração de energia elétrica, monofaciais, flexíveis, encapsulamento do material em etileno tetra fluoroetileno (ETFE), dotados de células de silí…
8541.60.10 BIT 3 ex
8541.60.10001 Vence 30/09/2027
Ressonadores ou osciladores a cristal piezoelétrico de quartzo, montados, próprios para montagem por superfície (SMD), de frequência superior ou igual a 1MHz, mas inferior ou igual…
8541.60.10002 Vence 30/07/2028
Osciladores de cristal piezoelétrico de quartzo, montados, próprios para montagem por superfície (SMD), de frequência 16Mhz a 40000kHz, capacitância 2,1pF (picofarad) a 12pF (picof…
8541.60.10003 Vence 30/07/2028
Oscilador de cristal piezelétrico de quartzo, com frequência de operação de até 100MHz, destinado à geração de sinal de clock e referência de tempo para equipamentos eletrônicos e …
8541.60.90 BIT 7 ex
8541.60.90002 Vence 30/11/2027
Filtros de sinal de radiofrequência com cristais piezoelétricos, montados, próprios para montagem em superfície (SMD), obtidos a partir das tecnologias SAW (Surface Acoustic Wave),…
8541.60.90003 Vence 30/09/2027
Ressonadores ou osciladores a cristal piezoelétrico de quartzo, montados, tipo miniatura, de frequência nominal inferior a 1MHz, próprios para montagem por superfície (SMD- Surface…
8541.60.90004 Vence 30/11/2027
Ressonadores ou osciladores a cristal piezoelétrico de cerâmica ou de quartzo, montados, tipo miniatura, de frequência nominal inferior a 1MHz, ou superior a 100MHz, próprios para …
8541.60.90005 Vence 30/11/2027
Ressonadores ou osciladores a cristal piezoelétrico de cerâmica ou de quartzo, montados, tipo miniatura, próprios para montagem por superfície (SMD) com ou sem compensação de tempe…
8541.60.90006 Vence 30/07/2028
Cristais piezelétricos montados, de zircotitanato de chumbo, com frequência de ressonância superior a 0,001MHz mas não superior a 0,02MHz, com diâmetro do disco entre 9mm e 25mm e …
8541.60.90007 Vence 30/07/2028
Filtros de RF tipo LPF (Low Pass), HPH (High Pass), BFB (Band Pass) ou BSF / Notch.
8541.60.90008 Vence 30/07/2028
Osciladores de cristal piezelétrico de quartzo, destinados à geração de sinal periódico de alta estabilidade e precisão, constituídos por elemento ressonador piezelétrico encapsula…
8541.90.20 BIT 1 ex
8541.90.20001 Vence 30/03/2028
Cápsulas cerâmicas de óxido de alumínio e óxido de silício de alto desempenho, com estrutura específica para encapsulamento de pastilhas de semicondutores, utilizadas na montagem/p…
8541.90.90 BIT 8 ex
8541.90.90001 Vence 30/03/2028
Pastilhas de diodo ou de tiristor, redondas, ainda em lâminas de silício monocristalinas de 5 ou 6 polegadas, de altíssima pureza e já difundidas, com diâmetros singularizados comp…
8541.90.90002 Vence 30/03/2028
Discos ou anéis de molibdênio com grau de pureza superior a 99,9%, com diâmetros compreendidos entre 3mm e 80mm, espessuras compreendidas entre 0,07mm e 4mm com acabamento superfic…
8541.90.90003 Vence 30/04/2028
Tubos metálicos em liga de Níquel e Ferro para uso exclusivo na produção de Semicondutores de Potência, contendo entre 40% a 53% de Níquel na liga, ajustada para compatibilidade de…
8541.90.90004 Vence 30/04/2028
Placas Cerâmicas de Óxido de Alumínio (AI2O3) ou Nitreto de Alumínio (AIN) com trilhas espessas de cobre, denominadas DBC ou DCB , para uso exclusivo na produção de módulos Semicon…
8541.90.90005 Vence 30/04/2028
Discos de aço inoxidável planos, sem bordas curvadas, com dimensões compreendidas de 2 a 5 milímetros de diâmetro, espessura de 0,15 milímetros e rebarbas com no máximo 0,05 mm par…
8541.90.90006 Vence 30/04/2028
Discos de contato em cobre eletrolítico usinado com acabamento lapidado para fabricação de semicondutores de potência tipo disco, com diâmetro maior compreendido de 49 a 63 mm com …
8541.90.90007 Vence 30/04/2028
Capas metal-cerâmicas (capas cerâmicas) isolantes para semicondutores de potência discretos do tipo diodo rosca, sendo compostas por cerâmica de óxido de alumínio (parte isolante),…
8541.90.90008 Vence 30/04/2028
Terminais de cobre, com ou sem solda integrada, produzidos à partir de fios ou chapas, para uso exclusivo em semicondutores de potência, com acabamento em prata ou ouro, para conex…
8542.31.20 BIT 6 ex
8542.31.20001 Vence 28/06/2026
Circuitos integrados eletrônicos, tipo microcontrolador de 8 a 32bits, Arquitetura "HP-Risc" ou "ARM", próprias para montagem em superfície (SMD), tensão de alimentação entre 1,8 e…
8542.31.20002 Vence 28/06/2026
Circuitos integrados eletrônicos dos tipos processadores e/ou controladores, mesmo combinados com memórias, conversores, circuitos lógicos, amplificadores, circuitos temporizadores…
8542.31.20003 Vence 28/06/2026
Circuitos integrados eletrônicos, microprocessadores, montados em invólucros próprios para montagem em superfície (SMD), com múltiplos núcleos de processamento e frequência de cloc…
8542.31.20004 Vence 28/06/2026
Controladores montados, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device).
8542.31.20005 Vence 28/06/2026
Processadores Montados, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device)
8542.31.20006 Vence 31/08/2028
Circuitos integrados monolíticos, com função de microcontrolador, operando com frequência máxima de clock compreendida entre 0,4 e 1.200MHz, capacidade de memória de programa de 0 …
8542.32.21 BIT 13 ex
8542.32.21001 Vence 29/02/2028
Circuitos integrados eletrônicos, tipo memória semicondutora não volátil (o EEPROM), regravável, que retém dados mesmo sem energia elétrica, com capacidade de armazenamento de 128k…
8542.32.21002 Vence 28/06/2026
Circuitos integrados eletrônicos, memórias, montadas, próprias para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), dos tipos EEPROM.
8542.32.21003 Vence 29/02/2028
Circuito integrado de memórias, do tipo NOR FlASH, SPI FLASH ou SERIAL FLASH, com capacidade de até 1Gbit (128Mb), para tensão de funcionamento entre 1,65V a 5,5V, próprio para mon…
8542.32.21004 Vence 28/06/2026
Circuitos integrados eletrônicos, memórias montadas ou próprias para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), dos tipos EEPROM, com capacidade de armazenamento entre …
8542.32.21005 Vence 29/02/2028
Circuitos integrados eletrônicos, memórias montadas ou próprias para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device), dos tipos FLASH com capacidade de armazenamento de 1MB (…
8542.32.21006 Vence 28/06/2026
Memorias montadas, próprios para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device) Dos tipos RAM estáticas (SRAM) com tempo de acesso inferior ou igual a 25 ns, EPROM, EEPROM, …
8542.32.21007 Vence 30/03/2028
Circuitos integrados eletrônicos, montados, de memória não-volátil, próprios para montagem em superfície (SMD), do tipo "NOR-Flash", com encapsulamento TSOP (Thin Small-Outline Pac…
8542.32.21008 Vence 30/03/2028
Circuitos integrados, montados, memória do tipo EEPROM, próprios para montagem em superfície SMD, com capacidade de até 64kbytes, tempo de acesso de 5ns, responsável por armazenar …
8542.32.21009 Vence 27/07/2026
Circuitos integrados eletrônicos de memória não volátil do tipo Flash, para montagem em superfície (SMD/SMT), para armazenamento de dados e/ou código (firmware/sistema operacional)…
8542.32.21010 Vence 30/04/2028
Circuitos integrados eletrônicos, sendo memórias dos tipos ram estáticas (sram), eprom, eeprom, prom, rom e flash,montadas, próprias para montagem em superfície (smd - surface moun…
8542.32.21011 Vence 09/09/2026
Circuitos integrados monolíticos encapsulados em tecnologia SMD, constituídos por memórias semicondutoras não voláteis e voláteis, incluindo EEPROM, Flash, EPROM e SRAM, com capaci…
8542.32.21012 Vence 09/09/2026
Circuitos integrados eletrônicos, monolíticos, montados, próprios para montagem em superfície (SMD), do tipo dispositivo de armazenamento embarcado compatível com a especificação e…
8542.32.21013 Vence 09/09/2026
Circuitos integrados eletrônicos, monolíticos, montados, próprios para montagem em superfície (SMD), do tipo memória NAND Flash com interface paralela assíncrona compatível com pad…
8542.32.29 BIT 4 ex
8542.32.29003 Vence 31/12/2027
Circuitos integrados do tipo memória “Flash” de 8Mb, com tempo de acesso superior ou igual a 55ns,com tensão de alimentação de 4,5 a 5,5V.
8542.32.29004 Vence 30/11/2027
Circuitos integrados do tipo memória de acesso aleatório estático de 8Mbcom alta estabilidade, com tempo de acesso superior ou igual a 55ns, para aplicações de baixo consumo de ene…
8542.32.29005 Vence 31/12/2027
Circuitos integrados do tipo memória estática de acesso aleatório (Memória RAM) de 1MB (8Mb), com alta estabilidade, com tempo de acesso superior ou igual a 45ns,para aplicações de…
8542.32.29006 Vence 31/12/2027
Circuitos integrados do tipo memória ferroelétrica de acesso aleatório ou F-RAM, não volátil, de 64 a 256Kbit
8542.32.91 BIT 1 ex
8542.32.91001 Vence 30/03/2028
Circuitos integrados eletrônicos, sendo memórias dos tipos RAM estáticas (SRAM) com tempo de acesso inferior ou igual a 25ns, EPROM, EEPROM, PROM, ROM e FLASH, montadas, próprias p…
8542.33.19 BIT 2 ex
8542.33.19002 Vence 31/12/2027
Circuitos integrados eletrônicos híbridos para amplificação de potência de circuitos de radiofrequência, com frequência de operação superior a 600MHz, com tensão de operação menor …
8542.33.19003 Vence 30/07/2028
Módulos amplificadores de potência de radiofrequência (RF) destinado à aplicação em estação rádio base de sistema de telecomunicações celulares, com tensão de alimentação superior …
8542.39.31 BIT 4 ex
8542.39.31001 Vence 29/02/2028
Circuitos integrados eletrônicos do tipo chipset, com múltiplos blocos funcionais integrados destinados ao processamento, controle, interface e gerenciamento de dados, sinais ou co…
8542.39.31002 Vence 30/03/2028
Módulos eletrônicos de sincronização de tempo e frequência (Local Timing Unit – LTU), para estações rádio base de redes móveis 5G destinadas à geração e ajuste preciso de sinais de…
8542.39.31003 Vence 30/03/2028
Circuitos integrados monolíticos digitais, do tipo "chipset", conversor de tensão (DC-DC) para montagem em superfície (SMD), com tensão de operação de até 12V, corrente de saída má…
8542.39.31004 Vence 30/04/2028
Circuitos integrados monolíticos encapsulados em tecnologia SMD, destinados a aplicações em controle eletrônico e gerenciamento de energia, incluindo circuitos integrados controlad…
8542.39.91 BIT 1 ex
8542.39.91001 Vence 28/06/2026
Placas de circuitos impressos e montados em pequenas dimensões com componentes eletrônicos (ativos e passivos) para uso em cartuchos de impressoras a laser.
8543.70.15 BK 3 ex
8543.70.15002 Vence 30/11/2027
Amplificadores para transmissão de sinais de micro-ondas de alta potência (HPA), provido de tecnologia TWT ("Traveling Wave Tube" - tubo de onda de viagem), para comunicação via sa…
8543.70.15003 Vence 30/11/2027
Amplificadores com conversores de frequência, do tipo BUC (Block Up Converter), designados a amplificar e transladar os sinais em banda L, que compreende a faixa de frequência entr…
8543.70.15004 Vence 31/01/2028
Transmissores industriais de micro-ondas AMT1010-480, potência nominal de 100kW operando em 915MHz, faixa ISM (Industrial, Scientific and Medical), transformador de alta tensão de …